Описание продукта
Лазерная среда GaAIAs Длина волны полупроводникового лазера 808 нм ± 20 нм (5ШТ)
максимальная выходная мощность 650 нм ± 20 нм (10ШТ)
на 808-нм лазерный диод 250 МВт ± 20% максимальной выходной мощности
на 650-нм лазерный диод 5 МВт ± 20% Общей выходной мощности 1300 МВт ± 20% Рабочий режим Непрерывный/ Импульсная настройка времени от 15 до 60 минут,
5 минут с интервалом Емкость аккумулятора 5000 мАч литиевая батарея Порт зарядки DC5V, 2A Температура окружающей среды 5 ℃ ~ 40 ℃ Относительная влажность 20 ~ 80% Атмосферное давление 860 гпа ~ 1060 гпа Выход адаптера DC5V 2A Напряжение адаптера AC100 ~ 240V Вес нетто 270 ± 5 г Дисплей продукта
Применение продукта
Сопутствующие товары
О компании
Связаться с нами